机译:带有Ga2O3 / EGaln顶部电极的SAM基结与其他大面积隧穿结的比较
机译:带有Ga2O3 / EGaln顶部电极的SAM基结与其他大面积隧穿结的比较
机译:卤素取代对基于SAM的大面积结的电荷隧穿速率的影响
机译:基于EGAIN的隧道结中的量子干扰
机译:用新型铁磁电极设计和表征逆隧穿磁阻磁隧道结。
机译:Co2Fe6B2上下自由层结构之间基于MgO的垂直-电磁-隧道-结自旋阀的隧道-磁阻比比较
机译:偏置从欧姆的过渡到超分子隧穿结的非欧姆界面的转变为Ga2O3 / Egain顶电极